CIS（Se）, CIGS（Se）, CZTS（Se）量子點

簡要描述：銅銦硫（硒），銅銦鎵硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導化合物對可見光的吸收系數和光電轉換效率高，抗輻射能力強，吸收層材料禁帶寬度可調，性能穩定，無毒等優點，是制作薄膜太陽電池的優良材料。

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更新時間：2024-06-03
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零維材料

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銅銦硫（硒），銅銦鎵硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導化合物對可見光的吸收系數和光電轉換效率高，抗輻射能力強，吸收層材料禁帶寬度可調，性能穩定，無毒等優點，是制作薄膜太陽電池的優良材料。傳統方法－真空濺射沉積再進行硫化或硒化反應形成薄膜太陽能電池，在制備過程中很難控制各個元素的蒸發速率和保持襯底溫度的穩定，而且由于采用了真空的工藝環節，導致工藝復雜，總成本很高。通過對量子點燒結形成半導體薄是一種新興的薄膜太陽能電池的制備技術，可以極大簡化生產工藝，降低成本制，因此具有非常廣泛的應用前景。

我們可根據客戶需求，提供不同質量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點。

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